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PSMN2R5-30YL,115  与  BSC025N03MS G  区别

型号 PSMN2R5-30YL,115 BSC025N03MS G
唯样编号 A-PSMN2R5-30YL,115 A-BSC025N03MS G
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 6.7mΩ
上升时间 - 3ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 88W 35W
Qg-栅极电荷 - 27nC
输出电容 710pF -
栅极电压Vgs 1.7V 20V
正向跨导 - 最小值 - 28S
典型关闭延迟时间 - 18ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT669 -
工作温度 175℃ -55°C~150°C
连续漏极电流Id 100A 40A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS3M
输入电容 3468pF -
长度 - 5.9mm
Rds On(max)@Id,Vgs 2.4mΩ@10V,3.16mΩ@4.5V -
下降时间 - 2.4ns
典型接通延迟时间 - 4.3ns
高度 - 1.27mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
360+ :  ¥4.3562
1,000+ :  ¥3.5707
1,500+ :  ¥3.1049
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